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| Titre : |
Réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat de type III-V |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Selma Rabhi, Auteur ; Mohamed Cherif Benoudia, Directeur de thèse ; Khalid Hoummada, Directeur de thèse ; Laboratoire des Mines, Matériaux et Métallurgie (L3M), Editeur scientifique ; IM2NP, Editeur scientifique |
| Editeur : |
Annaba : Ecole Nationale Supérieure des Mines et de la Métallurgie (ENSMM) |
| Année de publication : |
2019 |
| Importance : |
182 p. |
| Format : |
30 cm |
| Accompagnement : |
CD |
| Langues : |
Français (fre) |
| Tags : |
Ni/GaAs Ni/InAs épitaxie Ni3GaAs Ni3InAs diffusion réactive cinétique de formation caractérisation structurale in-situ. |
| Index. décimale : |
530.41 Physique de l'état solide |
| Résumé : |
L’objectif de cette thèse est d’étudier les phases formées lors de la réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat semi-conducteur de type III-V, par diffusion réactive. A terme, il s’agit de comprendre et prédire les phénomènes mis en jeu dans le contact Ni/In0.53Ga0.47As. En effet, ce dernier présente un intérêt technologique pour la nanoélectronique car In0,53Ga0,47As peut se substituer avantageusement au Si. Pour cela, nous avons étudié la nature et la séquence des phases formées pour les deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs où Ni est déposé par pulvérisation cathodique. Les phases Ni3GaAs et Ni3InAs sont les premières phases formées, elles sont en épitaxie avec le substrat et ont la même structure hexagonale. Les résultats obtenus montrent que la couche de Ni est en épitaxie avec le substrat GaAs pour de faibles épaisseurs déposées ce qui diffère des plus grandes épaisseurs. Par ailleurs la texture de la phase de Ni3GaAs est différente de la phase Ni3InAs. A haute température (au-delà de 400°C), nous observons pour les deux systèmes la présence des nouvelles phases. Celles-ci sont de structures hexagonale et cubique pour le système Ni/InAs. Nous avons pu aussi observer dans ce travail la cinétique de formation de ces phases Ni3GaAs et Ni3InAs en film mince et conclure que la cinétique de formation de la phase Ni3InAs est plus lente que celle de la phase Ni3GaAs. |
Réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat de type III-V [texte imprimé] / Selma Rabhi, Auteur ; Mohamed Cherif Benoudia, Directeur de thèse ; Khalid Hoummada, Directeur de thèse ; Laboratoire des Mines, Matériaux et Métallurgie (L3M), Editeur scientifique ; IM2NP, Editeur scientifique . - Annaba : Ecole Nationale Supérieure des Mines et de la Métallurgie (ENSMM), 2019 . - 182 p. ; 30 cm + CD. Langues : Français ( fre)
| Tags : |
Ni/GaAs Ni/InAs épitaxie Ni3GaAs Ni3InAs diffusion réactive cinétique de formation caractérisation structurale in-situ. |
| Index. décimale : |
530.41 Physique de l'état solide |
| Résumé : |
L’objectif de cette thèse est d’étudier les phases formées lors de la réaction à l’état solide entre un film de Ni et un substrat semi-conducteur de type III-V, par diffusion réactive. A terme, il s’agit de comprendre et prédire les phénomènes mis en jeu dans le contact Ni/In0.53Ga0.47As. En effet, ce dernier présente un intérêt technologique pour la nanoélectronique car In0,53Ga0,47As peut se substituer avantageusement au Si. Pour cela, nous avons étudié la nature et la séquence des phases formées pour les deux systèmes Ni/GaAs et Ni/InAs où Ni est déposé par pulvérisation cathodique. Les phases Ni3GaAs et Ni3InAs sont les premières phases formées, elles sont en épitaxie avec le substrat et ont la même structure hexagonale. Les résultats obtenus montrent que la couche de Ni est en épitaxie avec le substrat GaAs pour de faibles épaisseurs déposées ce qui diffère des plus grandes épaisseurs. Par ailleurs la texture de la phase de Ni3GaAs est différente de la phase Ni3InAs. A haute température (au-delà de 400°C), nous observons pour les deux systèmes la présence des nouvelles phases. Celles-ci sont de structures hexagonale et cubique pour le système Ni/InAs. Nous avons pu aussi observer dans ce travail la cinétique de formation de ces phases Ni3GaAs et Ni3InAs en film mince et conclure que la cinétique de formation de la phase Ni3InAs est plus lente que celle de la phase Ni3GaAs. |
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